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VISHAY SIHW33N60E-GE3 MOSFET, N CHANNEL, 600V, 33A, TO-247AD-3


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737N-2311569
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHW33N60E-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 V
  • Qualifikation: -
  • MSL: MSL 1 - Unlimited
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083 ohm
  • Produktpalette: -
  • Verlustleistung: 278 W
  • Bauform - Transistor: TO-247AD
  • Kanaltyp: N Channel
  • Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Through Hole
  • SVHC: Lead
  • Dauer-Drainstrom Id: 33 A
  • Drain-Source-Spannung Vds: 600 V
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIHW33N60E-GE3, 2311569, 231-1569
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