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VISHAY SUD09P10-195-GE3 MOSFET, P-CH, -100V, -8.8A, 150DEG C, Ch

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8737N-2918685

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SUD09P10-195-GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Artikeldatenblatt

Suchbegriffe:

Diode
IGBT
MOSFET
MOSFET-Transistor

Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V

MSL: -

Qualifikation: -

Anzahl der Pins: 3 Pin(s)

Produktpalette: -

Kanaltyp: P Channel

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162 ohm

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Drain-Source-Spannung Vds: 100 V

SVHC: Lead

Verlustleistung: 32.1 W

Dauer-Drainstrom Id: 8.8 A

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 V

Transistormontage: Surface Mount

RoHS konform: Keine Angaben

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Einfache MOSFET

Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, vishay diode, igbt, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SUD09P10-195-GE3, 2918685, 291-8685

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