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Infineon IRF3710 Transistor 200 V (2 Angebote)
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Infineon HEXFET IRF520NPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 9,7 A 48 W, 3-Pin TO-220AB (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 9,7 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 200 mΩ Channel-Modus = Enhanc...
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Infineon HEXFET IRF3205STRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 110 A 200 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 110 A Drain-Source-Spannung max. = 55 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 8 mΩ Channel-Modus = Enh...
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Infineon HEXFET IRF3808STRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 106 A 200 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 106 A Drain-Source-Spannung max. = 75 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 7,5 mΩ Channel-Modus = E...
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Infineon HEXFET IRF5210STRLPBF P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 38 A 170 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) (3 Angebote) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 38 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 60 mΩ Channel-Modus = En...
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Infineon IRF3205Z Transistor 100 V (3 Angebote)
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Infineon HEXFET IRF4905STRLPBF P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 70 A 170 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 70 A Drain-Source-Spannung max. = 55 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 20 mΩ Channel-Modus = Enh...
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Infineon HEXFET IRF5305PBF P-Kanal, THT MOSFET 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin TO-220AB (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 31 A Drain-Source-Spannung max. = 55 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 60 mΩ Channel-Modus = Enhanceme...
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Infineon HEXFET IRF3710SPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 57 A 200 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 57 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 23 mΩ Channel-Modus = En...
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Infineon IRF5210 Transistor 30 V (4 Angebote)
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Infineon HEXFET IRF3710ZPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 59 A 160 W, 3-Pin TO-220AB (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 59 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 18 mΩ Channel-Modus = Enhancem...
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Infineon HEXFET IRF5210STRLPBF P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 38 A 170 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 38 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 60 mΩ Channel-Modus = En...
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Infineon IRF4905L Transistor 30 V (3 Angebote)
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