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  SMD-Transistor  (3’392 Angebote unter 5’433’733 Artikeln)

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"SMD-Transistor"

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ONSEMI MMUN2233LT1G TRANSISTOR, SMD, NPN (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: Einfach NPN Betri...
onsemi
MMUN2233LT1G
CHF 0.12*
pro Stück
 
 Stück
DiodesZetex ZXT690BKTC SMD, NPN Transistor 45 V / 3 A 150 MHz, DPAK (TO-252) 4-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 3 A Kollektor-Emitter-Spannung = 45 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 3,9 W Gleichstromverstärkung min. = 400 Tra...
Diodes
ZXT690BKTC
CHF 0.57*
pro Stück
 
 Stück
Fairchild IGBT / 21 A ±14V max., 450 V 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 21 A Kollektor-Emitter-Spannung = 450 V Gate-Source Spannung max. = ±14V Verlustleistung max. = 150 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pin...
Fairchild
ISL9V3040S3ST
CHF 3.24*
pro Stück
 
 Stück
IXYS IGBT / 100 A ±20V max., 1200 V 350 W, 4-Pin SOT-227B N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 350 W Gehäusegröße = SOT-227B Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanza...
IXYS
IXA70I1200NA
CHF 54.75*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 10 A ±20V max., 600 V 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 10 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 110 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pin...
Infineon
IGB10N60TATMA1
CHF 0.64*
pro Stück
 
 Stück
DiodesZetex ZXTN4004KTC SMD, NPN Transistor 150 V / 1 A, DPAK (TO-252) 3-Pin (2 Angebote) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 1 A Kollektor-Emitter-Spannung = 150 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 3,8 W Gleichstromverstärkung min. = 60 Tra...
Diodes
ZXTN4004KTC
CHF 0.53*
pro Stück
 
 Stück
Fairchild IGBT / 46 A ±14V max., 420 V 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 46 A Kollektor-Emitter-Spannung = 420 V Gate-Source Spannung max. = ±14V Verlustleistung max. = 250 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pin...
Fairchild
ISL9V5036S3ST
CHF 5.10*
pro Stück
 
 Stück
onsemi 2SD1815S-TL-E SMD, NPN Transistor 100 V / 3 A 1 MHz, TP-FA 4-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 3 A Kollektor-Emitter-Spannung = 100 V Gehäusegröße = TP-FA Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 20 W Gleichstromverstärkung min. = 140 Transistor-...
onsemi
2SD1815S-TL-E
CHF 0.39*
pro Stück
 
 Stück
IXYS IGBT / 100 A ±20V max., 1200 V 450 W, 4-Pin SOT-227B N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 450 W Gehäusegröße = SOT-227B Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanza...
IXYS
IXDN55N120D1
CHF 42.13*
pro Stück
 
 Stück
onsemi IGBT / 21 A ±10V max., 300 V 150 W, 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 21 A Kollektor-Emitter-Spannung = 300 V Gate-Source Spannung max. = ±10V Verlustleistung max. = 150 W Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pina...
onsemi
ISL9V3040D3ST
CHF 1.97*
pro Stück
 
 Stück
IXYS IGBT / 134 A ±20V max., 1200 V 690 W, 4-Pin SOT-227B N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 134 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 690 W Gehäusegröße = SOT-227B Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanza...
IXYS
IXYN100N120C3H1
CHF 60.11*
pro Stück
 
 Stück
onsemi IGBT / 41 A ±10V max., 300 V 150 W, 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 41 A Kollektor-Emitter-Spannung = 300 V Gate-Source Spannung max. = ±10V Verlustleistung max. = 150 W Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pina...
onsemi
FGD3040G2-F085
CHF 1.14*
pro Stück
 
 Stück
IXYS IGBT / 105 A ±20V max., 1200 V 500 W, 4-Pin SOT-227B N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 105 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 500 W Gehäusegröße = SOT-227B Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanza...
IXYS
IXYN82N120C3H1
CHF 78.58*
pro Stück
 
 Stück
onsemi IGBT / 80 A ±20V max., 1200 V 298 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 298 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pi...
onsemi
HGT1S10N120BNST
CHF 4.92*
pro Stück
 
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IXYS IGBT / 50 A, 1200 V, 3-Pin TO-268 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gehäusegröße = TO-268 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration = Einfach Abmessungen = 16.05 x 14 x 5.1mm Betrie...
IXYS
IXGT30N120B3D1
CHF 6.46*
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