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  Leistungstransistor  (239 Angebote unter 5'233'815 Artikeln)

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"Leistungstransistor"

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Leistungstransistor, NPN, 60V, TO-225 (3 Angebote) 
Bezeichnung=Leistungstransistor, Typ=BD137G, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5...
onsemi
BD137G
ab CHF 0.253*
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STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret TIP31C TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN (2 Angebote) 
STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret TIP31C TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN Leistungstransistor (ST Microelectronics®) Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Co...
ST Microelectronics
TIP31C
ab CHF 0.28*
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Infineon BSP315P Transistor 60 V (2 Angebote)
Infineon
BSP315PH6327XTSA1
ab CHF 0.31*
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STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret TIP32C TO-220AB Anzahl Kanäle 1 PNP (2 Angebote) 
STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret TIP32C TO-220AB Anzahl Kanäle 1 PNP Leistungstransistor (ST Microelectronics®) Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Co...
ST Microelectronics
TIP32C
ab CHF 0.28*
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ROHM 2SAR514PHZGT100 SMD, PNP Transistor –80 V / -700 mA, SOT-89 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = -700 mA Kollektor-Emitter-Spannung = –80 V Gehäusegröße = SOT-89 Montage-Typ = SMD Gleichstromverstärkung min. = 120 Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente ...
ROHM Semiconductor
2SAR514PHZGT100
ab CHF 0.24*
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Leistungstransistor, NPN, 60V, TO-3 (2 Angebote) 
Bezeichnung=Leistungstransistor, Typ=2N3055AG, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=200 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)...
onsemi
2N3055AG
ab CHF 3.82*
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STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret TIP137 TO-220AB Anzahl Kanäle 1 PNP - Darlington (2 Angebote) 
STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret TIP137 TO-220AB Anzahl Kanäle 1 PNP - Darlington Darlington Leistungstransistor Hinweis: Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS. Technische Daten: ...
ST Microelectronics
TIP137
ab CHF 0.70*
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Infineon IPD100N06S4-03 Transistor 60 V (2 Angebote)
Infineon
IPD100N06S403ATMA2
ab CHF 0.783*
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Leistungstransistor, NPN, 800V, TO-220 (1 Angebot) 
Bezeichnung=Leistungstransistor, Typ=BUL216, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=1.2 V, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=...
k.A.
BUL216
ab CHF 1.75*
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STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret TIP35C TO-247-3 Anzahl Kanäle 1 NPN (3 Angebote) 
STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret TIP35C TO-247-3 Anzahl Kanäle 1 NPN Leistungstransistor (ST Microelectronics®) Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Co...
ST Microelectronics
TIP35C
ab CHF 0.82*
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onsemi BU406G THT, NPN Digitaler Transistor 400 V, TO-220 3-Pin (2 Angebote) 
Transistor-Typ = NPN Kollektor-Emitter-Spannung = 400 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Verlustleistung max. = 60 W Transistor-Konfiguration = Einfach Basis-Emitter Spannung max. = 6 V Pina...
onsemi
BU406G
ab CHF 0.518*
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Leistungstransistor, NPN, 80V, 1A, SOT-223 (1 Angebot) 
Bezeichnung=Leistungstransistor, Typ=BCP56-16, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)...
k.A.
BCP56-16
ab CHF 0.3618*
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TRU COMPONENTS Transistor (BJT) - diskret TC-BC559C TO-92 Anzahl Kanäle 1 PNP (1 Angebot) 
TRU COMPONENTS Transistor (BJT) - diskret TC-BC559C TO-92 Anzahl Kanäle 1 PNP Bipolar-Standard-Leistungstransistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-St...
TRU Components
1581832
ab CHF 0.122*
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ROHM 2SAR554PHZGT100 SMD, PNP Transistor –80 V / –1,5 A, SOT-89 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = –1,5 A Kollektor-Emitter-Spannung = –80 V Gehäusegröße = SOT-89 Montage-Typ = SMD Gleichstromverstärkung min. = 120 Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente p...
ROHM Semiconductor
2SAR554PHZGT100
ab CHF 0.37*
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Leistungstransistor, NPN, 80V, DPAK (1 Angebot) 
Bezeichnung=Leistungstransistor, Typ=MJD44H11T4, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Veb...
k.A.
MJD44H11T4
ab CHF 0.96*
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