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  mosfet 8a  (202 gefilterte Angebote unter 5’511’242 Artikeln)

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"MOSFET"

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ROHM RD3H080SPFRATL MOSFET AEC-Q101 P-KANAL 45V, 8A, TO-252 (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065 ohm Produktpalette: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: p-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 8 A ...
ROHM Semiconductor
RD3H080SPFRATL
ab CHF 0.538*
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Infineon IPLK80R600P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 8 A, 5-Pin ThinPAK 5 x 6 (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Gehäusegröße = ThinPAK 5 x 6 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 5 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
IPLK80R600P7ATMA1
ab CHF 0.597*
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ROHM RD3L080SNFRATL MOSFET, N-KANAL, 60V, 8A, 150°C, 15W (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057 ohm Produktpalette: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 8 A ...
ROHM Semiconductor
RD3L080SNFRATL
ab CHF 0.529*
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P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 8 A, 8-Pin TSMT-8 (2 Angebote) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = TSMT-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,018 Ω Gate-Schwellenspannung max...
ROHM Semiconductor
RQ7G080ATTCR
ab CHF 0.403*
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ROHM RQ7G080BGTCR N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 8 A TSMT-8 (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = TSMT-8 Montage-Typ = SMD
ROHM Semiconductor
RQ7G080BGTCR
ab CHF 0.348*
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STMicroelectronics STD11N60M6 STD11N60M6 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 8 A, 3-Pin DPAK (TO-252) (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,5 Ω Channel-Modus = Enha...
ST Microelectronics
STD11N60M6
ab CHF 0.609*
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Infineon IRF7328TRPBF N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 8 A SO-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = SO-8 Montage-Typ = THT
Infineon
IRF7328TRPBF
ab CHF 0.68*
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Infineon IRF7328TRPBF N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 8 A SO-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = SO-8 Montage-Typ = THT
Infineon
IRF7328TRPBF
ab CHF 0.57*
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STMICROELECTRONICS STB10N95K5 MOSFET, N-KANAL, 950V, 8A, TO-263 (1 Angebot) 
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65 ohm Produktpalette: SuperMESH 5 Series MSL: MSL 1 - unbegrenz...
ST Microelectronics
STB10N95K5
ab CHF 1.46*
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STMICROELECTRONICS STD10LN80K5 MOSFET, N-KANAL, 800V, 8A, TO-252 (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55 ohm Produktpalette: MDmesh K5 Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanal...
ST Microelectronics
STD10LN80K5
ab CHF 1.30*
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STMICROELECTRONICS STF10N95K5 MOSFET, N-KANAL, 950V, 8A, TO-220FP (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65 ohm Produktpalette: SuperMESH 5 Series Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drai...
ST Microelectronics
STF10N95K5
ab CHF 1.36*
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TOSHIBA TK8A60W,S4VX(M MOSFET, N-KANAL, 600V, 8A, TO-220SIS (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42 ohm Produktpalette: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 8 A Be...
Toshiba
TK8A60W,S4VX(M
ab CHF 0.968*
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TOSHIBA TK8P60W,RVQ(S MOSFET, N-KANAL, 600V, 8A, TO-252 (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42 ohm Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Ba...
Toshiba
TK8P60W,RVQ(S
ab CHF 0.891*
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Vishay IRF840HPBF N-Kanal Dual, THT MOSFET 500 V / 8 A, 3-Pin TO-220AB (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 500 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Vishay
IRF840HPBF
ab CHF 0.569*
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Vishay E SIHB11N80AE-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 8 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,391 Ω Gate-Schwellenspa...
Vishay
SIHB11N80AE-GE3
ab CHF 0.888*
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