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  mosfet 8a  (202 gefilterte Angebote unter 5’511’388 Artikeln)

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"MOSFET"

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Vishay E SIHD11N80AE-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 8 A, 3-Pin DPAK (TO-252) (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,391 Ω Gate-Schwellenspan...
Vishay
SIHD11N80AE-GE3
ab CHF 0.76*
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Vishay E SIHG11N80AE-GE3 N-Kanal MOSFET 800 V / 8 A, 3-Pin TO-247AC (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Gehäusegröße = TO-247AC Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,391 Ω Gate-Schwellenspannung max. = 2 → 4V Anza...
Vishay
SIHG11N80AE-GE3
ab CHF 1.03*
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VISHAY SIHP11N80AE-GE3 MOSFET, N-KANAL, 800V, 8A, 150°C, 78W (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.391 ohm Produktpalette: E MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Da...
Vishay
SIHP11N80AE-GE3
ab CHF 0.806*
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Vishay SQ3493EV-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 8 A, 6-Pin TSOP-6 (2 Angebote) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 20 V Gehäusegröße = TSOP-6 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 6 Drain-Source-Widerstand max. = 0,016 Ω Gate-Schwellenspannung max...
Vishay
SQ3493EV-T1_GE3
ab CHF 0.22*
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Vishay SQ4917CEY-T1_GE3 P-Kanal Quad, SMD MOSFET 60 V / 8 A, 8-Pin SO-8 (2 Angebote) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = SO-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 4
Vishay
SQ4917CEY-T1_GE3
ab CHF 0.464*
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Vishay SQS460CENW-T1_GE3 N-Kanal Dual, PCB-Montage MOSFET 60 V / 8 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8W (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8W Montage-Typ = PCB-Montage Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente...
Vishay
SQS460CENW-T1_GE3
ab CHF 0.249*
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VISHAY SQJ465EP-T1_GE3 MOSFET, P-KANAL, 60V, 8A, 175°C, 45W (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07 ohm Produktpalette: TrenchFET Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: p-Kanal Dauer-Drainstrom I...
Vishay
SQJ465EP-T1_GE3
ab CHF 0.517*
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Infineon SPP08N80C3XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 8 A Durchsteckmontage (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Gehäusegröße = Durchsteckmontage Montage-Typ = THT
Infineon
SPP08N80C3XKSA1
ab CHF 1.74*
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Nexperia PXP020-20QXJ P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 12,1 A, 8-Pin MLPAK33 (2 Angebote) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 12,1 A Drain-Source-Spannung max. = 20 V Gehäusegröße = MLPAK33 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8
Nexperia
PXP020-20QXJ
ab CHF 0.67*
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 Packung
onsemi SUPERFET III NTD600N80S3Z N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 8 A, 3-Pin DPAK (TO-252) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,6 Ω Gate-Schwellenspannu...
onsemi
NTD600N80S3Z
ab CHF 1.38*
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P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 8 A, 8-Pin TSMT-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = TSMT-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,018 Ω Gate-Schwellenspannung max...
ROHM Semiconductor
RQ7G080ATTCR
ab CHF 0.53*
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 Stück
ROHM QH8KB6 QH8KB6TCR N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 8 A, 8-Pin TSMT-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = TSMT-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0177 Ω Channel-Modus = Enhanceme...
ROHM Semiconductor
QH8KB6TCR
ab CHF 0.67*
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ROHM R6013VNXC7G N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 8 A, 3-Pin TO-220FM (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = TO-220FM Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
ROHM Semiconductor
R6013VNXC7G
ab CHF 1.09*
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ROHM R6013VNXC7G N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 8 A, 3-Pin TO-220FM (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = TO-220FM Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
ROHM Semiconductor
R6013VNXC7G
ab CHF 1.27*
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 Stück
ROHM RQ7G080BGTCR N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 8 A TSMT-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = TSMT-8 Montage-Typ = SMD
ROHM Semiconductor
RQ7G080BGTCR
ab CHF 0.31*
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