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"MOSFET"

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Vishay SIR882ADP-T1-GE3 MOSFET (1 Angebot) 
MOSFET
Vishay
SIR882ADP-T1-GE3
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Vishay TrenchFET SQ2309ES-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 1,7 A, 3-Pin TO-236 (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 1,7 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = TO-236 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,5 O Channel-Modus = Enhancemen...
Vishay
SQ2309ES-T1_GE3
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