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  Schalttransistor  (8’055 Angebote unter 5’235’432 Artikeln)

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"Schalttransistor"

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Bourns IGBT / 30 A ±20V max. , 600 V 230 W TO-247 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 230 W Gehäusegröße = TO-247
Bourns
BIDW30N60T
ab CHF 2.81*
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Bipolarer Transistor 100mA NPN 30V SOT-23 (1 Angebot) 
Bezeichnung=Bipolarer Transistor, Typ=BC849C, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=900 mV, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo...
Diotec
BC849C
ab CHF 0.0347*
pro Stück
 
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Diotec Transistor (BJT) - diskret BC559C TO-92 Anzahl Kanäle 1 PNP (1 Angebot) 
Diotec Transistor (BJT) - diskret BC559C TO-92 Anzahl Kanäle 1 PNP Bipolar-Standard-Leistungstransistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -...
Diotec
BC559C
ab CHF 0.0406*
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Infineon BFR93AW Transistor (3 Angebote)
Infineon
BFR93AWH6327XTSA1
ab CHF 0.0709*
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Bourns IGBT / 30 A ±20V max. , 600 V 230 W TO-247N (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = TO-247N
Bourns
BIDNW30N60H3
ab CHF 2.54*
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Bipolarer Transistor 100mA NPN 30V SOT-23 (1 Angebot) 
Bezeichnung=Bipolarer Transistor, Typ=BC849A, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=900 mV, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo...
Diotec
BC849A
ab CHF 0.0304*
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Diotec Transistor (BJT) - diskret BC337-40 TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN (2 Angebote) 
Diotec Transistor (BJT) - diskret BC337-40 TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN Transistor bipolar Transistor NPN Gen. Purpose TO93. Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Col...
Diotec
BC337-40
ab CHF 0.0508*
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Infineon BFP196W Transistor (3 Angebote)
Infineon
BFP196WH6327XTSA1
ab CHF 0.0606*
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Bourns IGBT / 20 A ±20V max. , 600 V 192 W TO-247 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 192 W Gehäusegröße = TO-247
Bourns
BIDW20N60T
ab CHF 2.23*
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Bipolarer Transistor 100mA NPN 30V SOT-23 (1 Angebot) 
Bezeichnung=Bipolarer Transistor, Typ=BC848C, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=900 mV, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo...
Diotec
BC848C
ab CHF 0.0339*
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Diotec Transistor (BJT) - diskret BC557B TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 PNP (1 Angebot) 
Diotec Transistor (BJT) - diskret BC557B TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 PNP Transistor bipolar Transistor PNP Gen. Purpose TO-92. Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Coll...
Diotec
BC557B-3
ab CHF 0.0505*
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HF-Transistor, NPN, 12V, 20mA, SOT-23-3 (3 Angebote) 
Bezeichnung=HF-Transistor, Typ=BFR181E6327HTSA1, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Veb...
Infineon
BFR181E6327HTSA1
ab CHF 0.0707*
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Bourns IGBT / 5 A ±30V max. , 600 V 82 W TO-252 (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 5 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Konfiguration = Einfachdiode
Bourns
BIDD05N60T
ab CHF 0.501*
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Bipolarer Transistor 100mA NPN 30V SOT-23 (1 Angebot) 
Bezeichnung=Bipolarer Transistor, Typ=BC848B, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=900 mV, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo...
Diotec
BC848B
ab CHF 0.0303*
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Diotec Transistor (BJT) - diskret MPSA42 TO-92 Anzahl Kanäle 1 NPN (2 Angebote) 
Diotec Transistor (BJT) - diskret MPSA42 TO-92 Anzahl Kanäle 1 NPN Transistor bipolar Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromve...
Diotec
MPSA42
ab CHF 0.0709*
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