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  Schalttransistor  (10’134 Angebote unter 5’480’902 Artikeln)

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"Schalttransistor"

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DIODES INC. ZXTP2012ZQTA TRANSISTOR PNP, 60V, 4.3A, 150°C, 2.1W (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 V Bet...
Diodes
ZXTP2012ZQTA
ab CHF 0.338*
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Infineon IGBT / 20 A 25V max., 1200 V 288 W PG-TO247-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 25V Verlustleistung max. = 288 W Gehäusegröße = PG-TO247-3
Infineon
IHW20N120R5XKSA1
ab CHF 2.22*
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INFINEON 1ED3830MC12MXUMA1 IGBT-TREIBER, HIGH-SIDE, 3A, 125°C (2 Angebote) 
Quellstrom: 3 A Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET Produktpalette: - Eingang: Nicht invertierend Versorgungsspannung, max.: 5.5 V MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Pins: 16 Pin(s) Sinkst...
Infineon
1ED3830MC12MXUMA1
ab CHF 3.69*
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Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BC859C SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 PNP Tape cut (1 Angebot) 
Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BC859C SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 PNP Tape cut NF-Transistor PNP-Transistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Coll...
Infineon
BC859C
ab CHF 0.091*
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DIODES INC. ZXTP2013ZTA TRANSISTOR PNP, 100V, 3.5A, 150°C, 2.1W (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 125 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 V Be...
Diodes
ZXTP2013ZTA
ab CHF 0.312*
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Infineon IGBT / 20 A 20V max. , 600 V 150 W, 3-Pin PG-TO252 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 150 W Gehäusegröße = PG-TO252 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Kon...
Infineon
IKD10N60RATMA1
ab CHF 1.05*
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Infineon IGBT-Transistormodul / 80 A ±20V max., 650 V 305 W PG-TO247-3 (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 305 W Gehäusegröße = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65H5FKSA1
ab CHF 3.69*
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INFINEON 1ED3860MU12MXUMA1 IGBT-TREIBER, HIGH-SIDE, -40 BIS 125°C (1 Angebot) 
Quellstrom: - Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET Produktpalette: EiceDRIVER 1ED Eingang: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 V MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Pins: 16 Pin(s) Sinkstrom: - Treiber...
Infineon
1ED3860MU12MXUMA1
ab CHF 3.60*
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Infineon IGBT / 200 A 20V max., 1200 V 20 mW (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 20 mW
Infineon
FP200R12N3T7B11BPSA1
ab CHF 287.95*
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Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BCX53-16 SOT-89 Anzahl Kanäle 1 PNP (1 Angebot) 
Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BCX53-16 SOT-89 Anzahl Kanäle 1 PNP PNP-Transistor PNP-Transistor (12 mm-Gurt). Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP ...
Infineon
BCX53-16
ab CHF 0.30*
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DIODES INC. ZXTP2014ZTA TRANSISTOR PNP, 140V, 3A, 150°C, 2.1W (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140 V Be...
Diodes
ZXTP2014ZTA
ab CHF 0.312*
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Infineon IGBT / 160 A ±20V max., 600 V 714 W, 3-Pin PG-TO247-3-46 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 160 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 714 W Gehäusegröße = PG-TO247-3-46 Pinanzahl = 3
Infineon
IKQ100N60TXKSA1
ab CHF 7.56*
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INFINEON 1ED3890MU12MXUMA1 IGBT-TREIBER, HIGH-SIDE, -40 BIS 125°C (2 Angebote) 
Quellstrom: - Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET Produktpalette: EiceDRIVER 1ED Eingang: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 V Anzahl der Pins: 16 Pin(s) Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side ...
Infineon
1ED3890MU12MXUMA1
ab CHF 4.03*
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Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BCV47E6327 SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington Tape cut (1 Angebot) 
Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BCV47E6327 SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington Tape cut NPN-Transistor NPN-Transistor (8 mm-Gurt). Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausfüh...
Infineon
BCV47E6327
ab CHF 0.20*
pro Stück
 
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DIODES INC. ZXTP25012EZTA TRANSISTOR PNP, 12V, 4.5A, 150°C, 2.4W (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 310 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12 V Bet...
Diodes
ZXTP25012EZTA
ab CHF 0.185*
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