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  Transistor  (9’961 Angebote unter 5’425’481 Artikeln)

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"Transistor"

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ROHM IGBT / 40 ±30V max. , 650 V 1,44 mW To-247GE (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 1,44 mW Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGT40TS65DGC13
CHF 3.31*
pro Stück
 
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STARPOWER DG20X06T2 TRANSISTOR IGBT, 600V, 42A, 313W, TO-247 (1 Angebot) 
Produktpalette: DOSEMI MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 V Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45 V Kontinuierlicher Kol...
STARPOWER
DG20X06T2
CHF 3.10*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia PBSS4310PAS-QX SMD, NPN Transistor 10 V / 3 A, SOT1061 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 3 A Kollektor-Emitter-Spannung = 10 V Gehäusegröße = SOT1061 Montage-Typ = SMD
Nexperia
PBSS4310PAS-QX
CHF 0.44*
pro Stück
 
 Stück
ROHM DTA113ZU3T106 SMD, PNP Digitaler Transistor -50 V / 100 mA, SOT-323 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = -50 V Gehäusegröße = SOT-323 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
ROHM Semiconductor
DTA113ZU3T106
CHF 0.1626*
pro Stück
 
 Stück
ROHM IGBT / 55 ±30V max. , 650 V 1,94 mW To-247GE (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 55 Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 1,94 mW Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGT60TS65DGC13
CHF 3.71*
pro Stück
 
 Stück
onsemi NJVMJK32CTWG SMD, PNP Bipolarer Transistor -100 V dc / 3 A, LFPAK4 4-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = 3 A Kollektor-Emitter-Spannung = -100 V dc Gehäusegröße = LFPAK4 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
onsemi
NJVMJK32CTWG
CHF 1.35*
pro Stück
 
 Stück
STARPOWER DG50X12T2 TRANSISTOR IGBT 1.2KV, 100A, TO-247 PLUS (1 Angebot) 
Produktpalette: DOSEMI Trench MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-247 Plus Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75 V Kontinu...
STARPOWER
DG50X12T2
CHF 9.62*
pro Stück
 
 Stück
ROHM 2SAR567F3TR SMD, PNP Transistor -120 V / –2,5 A, DFN2020-3S (Huml2020L3) (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = –2,5 A Kollektor-Emitter-Spannung = -120 V Gehäusegröße = DFN2020-3S (Huml2020L3) Montage-Typ = SMD Gleichstromverstärkung min. = 120
ROHM Semiconductor
2SAR567F3TR
CHF 0.70*
pro Stück
 
 Stück
ROHM IGBT / 70 ±30V max. , 650 V 2,34 mW To-247GE (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 70 Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 2,34 mW Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGT80TS65DGC13
CHF 3.98*
pro Stück
 
 Stück
onsemi IGBT / 150 A ±20V max., 1200 V 714 W, 3-Pin TO247-3LD N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 714 W Gehäusegröße = TO247-3LD Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanz...
onsemi
FGY75T120SWD
CHF 12.60*
pro Stück
 
 Stück
ROHM DTA114YU3HZGT106 SMD, PNP Digitaler Transistor -50 V / 100 mA, SOT-323 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = -50 V Gehäusegröße = SOT-323 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
ROHM Semiconductor
DTA114YU3HZGT106
CHF 0.299*
pro Stück
 
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STARPOWER GD100FFY120C5S TRANSISTOR, IGBT-MODUL, 1.2KV, 157A (1 Angebot) 
Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV Betriebstemperatur, max.: 150 °C Dauer-Kollektorstrom: 157 A Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7 V IGBT-...
STARPOWER
GD100FFY120C5S
CHF 88.91*
pro Stück
 
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onsemi NJVMJK45H11TWG SMD, PNP Bipolarer Transistor -80 V dc / 8 A, LFPAK4 4-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = 8 A Kollektor-Emitter-Spannung = -80 V dc Gehäusegröße = LFPAK4 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
onsemi
NJVMJK45H11TWG
CHF 1.32*
pro Stück
 
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ROHM 2SC5876U3T106 SMD, NPN Transistor 60 V / 500 mA, SOT-323 3-Pin (2 Angebote) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 500 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 60 V Gehäusegröße = SOT-323 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
ROHM Semiconductor
2SC5876U3T106
CHF 0.1072*
pro Stück
 
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STARPOWER DG10X06T1 TRANSISTOR IGBT, 600V, 25A, 196W, TO-220 (1 Angebot) 
Produktpalette: DOSEMI MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 V Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45 V Kontinuierlicher Kol...
STARPOWER
DG10X06T1
CHF 2.26*
pro Stück
 
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