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| Artikel-Nr.:
3794E-1007565 Herst.-Nr.:
MJ11016G EAN/GTIN:
5059042283570 |
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| Transistor-Typ = NPN
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 120 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Gehäusegröße = TO-204
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Gleichstromverstärkung min. = 200
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. = 5 V
Kollektor-Basis-Spannung max. = 120 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. = 4 V
Höhe = 8.51mm
Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen. NPN-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | Dauer-Kollektorstrom max.: | 30 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 120 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Gehäusegröße: | TO-204 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Gleichstromverstärkung min.: | 200 | Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.: | 5 V | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 120 V | Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: | 4 V | Höhe: | 8.51mm |
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| Weitere Suchbegriffe: schalttransistor npn, leistungstransistor, onsemi transistor, 1007565, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Darlington Transistoren, onsemi, MJ11016G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Darlington Pairs |
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