Bezeichnung=Darlington-Transistor, Typ=MJ11016G, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=5 V, Betriebstemperatur, max.=200 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=200, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=120 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=120 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=4 V, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=30 A, Leistungsverteilung (PV)=200 W, Pins=2, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Übergangsfrequenz=-999, Bauform=TO-204AA, Konfiguration=Einfach, Montageart=Durchsteckmontage, Transistor-Polarität=NPN, Verpackung=Behälterschaumstoff Weitere Informationen: | | Country of origin: | MY | Customs tariff number: | 8541290000 | Height: | 22 mm | Depth: | 39 mm | Gross weight: | 12 g | Width: | 27 mm |
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