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| Artikel-Nr.:
3794E-1024112 Herst.-Nr.:
MJD44H11T4 EAN/GTIN:
5059042340716 |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 8 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 80 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 20 W
Gleichstromverstärkung min. = 40
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 80 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C
NPN-Leistungstransistoren, STMicroelectronics Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 8 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 80 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 20 W | Gleichstromverstärkung min.: | 40 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 80 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, stmicroelectronics transistor, 1024112, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, STMicroelectronics, MJD44H11T4, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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