|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-1024115 Herst.-Nr.:
MJD45H11T4 EAN/GTIN:
5059042279832 |
| |
|
| | |
| Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = -8 A
Kollektor-Emitter-Spannung = –80 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 20 W
Gleichstromverstärkung min. = 40
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 80 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C
PNP-Leistungstransistoren, STMicroelectronics Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | -8 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | –80 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 20 W | Gleichstromverstärkung min.: | 40 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 80 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, stmicroelectronics transistor, 1024115, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, STMicroelectronics, MJD45H11T4, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
| | |
| |