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Nexperia 2N7002PW,115 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 310 mA 260 mW, 3-Pin SOT-323
Menge:
Stück
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
3794E-1038094
Hersteller:
Nexperia
Herst.-Nr.:
2N7002PW,115
EAN/GTIN:
5059043074382
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 310 mA
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOT-323
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,6 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.4V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.1V
Verlustleistung max. = 260 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 0,6 nC @ 2,5 V
Betriebstemperatur min. = –55 °C
N-Kanal-MOSFET, 60–80 V, Nexperia
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
310 mA
Drain-Source-Spannung max.:
60 V
Gehäusegröße:
SOT-323
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
1,6 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
2.4V
Gate-Schwellenspannung min.:
1.1V
Verlustleistung max.:
260 mW
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:
0,6 nC @ 2,5 V
Betriebstemperatur min.:
–55 °C
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Mosfet
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smd transistor
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Diskrete Halbleiter
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2N7002PW,115
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Semiconductors
,
Discrete Semiconductors
,
MOSFETs
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