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| Artikel-Nr.:
3794E-1038398 Herst.-Nr.:
2N7002,215 EAN/GTIN:
5059043414768 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 300 mA
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 830 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = –65 °C
N-Kanal-MOSFET, 60–80 V, Nexperia Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 300 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 5 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 830 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | –65 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet sot-23, feldeffekttransistor, 1038398, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, 2N7002,215, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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