Produktinformationen: | | |
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| Artikel-Nr.:
3794E-1107170 Herst.-Nr.:
BSS606NH6327XTSA1 EAN/GTIN:
5059043418469 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 3,2 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOT-89
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 90 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.3V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.3V
Verlustleistung max. = 1 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = OptiMOS 3
Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, 60 bis 80 V. optimos™ Produkte sind erhältlich in hohe Performance Packages zur Bewältigung der anspruchsvollsten Anwendungen für die volle Flexibilität bei eingeschränkten Platzverhältnissen. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen. Schnelle Schalt-MOSFET für SMPS Optimierte Technik für DC/DC-Wandler Zugelassen gemäß JEDEC1) für Ziel Anwendungen N-Kanal, Logikebene Ausgezeichnete gate-ladung x R DS(ON) -Produkt (BFM) Sehr geringer Widerstand R DS(ON) Pb-frei Beschichtung Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 3,2 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SOT-89 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 90 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.3V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.3V | Verlustleistung max.: | 1 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | OptiMOS 3 |
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| Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet infineon, feldeffekttransistor, 1107170, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSS606NH6327XTSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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