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| Artikel-Nr.:
3794E-1219531 Herst.-Nr.:
BSS123W-7-F EAN/GTIN:
5059043145211 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 170 mA
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = SOT-323
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 10 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Verlustleistung max. = 200 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 1mm
N-Kanal-MOSFET, 100 V bis 950 V, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 170 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | SOT-323 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 10 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Verlustleistung max.: | 200 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: diodes mosfet, feldeffekttransistor, 1219531, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, BSS123W7F, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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