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| Artikel-Nr.: 3794E-1220612 Herst.-Nr.: ZXMN6A09GTA EAN/GTIN: 5059043498621 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 7,5 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = SOT-223 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 60 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 3V Verlustleistung max. = 3,9 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gate-Ladung typ. @ Vgs = 24,2 nC @ 5 V Höhe = 1.8mm
N-Kanal-MOSFET, 40 V bis 90 V, Diodes Inc Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 7,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 60 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3V | Verlustleistung max.: | 3,9 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 24,2 nC @ 5 V | Höhe: | 1.8mm |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Transistor, diodes mosfet, smd transistor, mosfet sot-223, 1220612, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, ZXMN6A09GTA, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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