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| Artikel-Nr.:
3794E-1242248 Herst.-Nr.:
SUM70040E-GE3 EAN/GTIN:
5059040673434 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 120 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 4,6 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 375 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Höhe = 4.82mm
N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 120 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 4,6 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 375 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +175 °C | Höhe: | 4.82mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, mosfet d2pak, 1242248, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SUM70040EGE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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