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| Artikel-Nr.:
3794E-1242251 Herst.-Nr.:
SIHH26N60E-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040673571 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 25 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = PowerPAK 8 x 8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 135 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 202 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 8.1mm
Höhe = 1mm
N-Kanal-MOSFET, E-Serie, Niedriger Gütefaktor, Vishay Semiconductor. Die Leistungs-MOSFETs der Serie E von Vishay umfassen Hochspannungs-Transistoren mit einem ultraniedrigen maximalen Widerstand und niedrigem Gütefaktor und ermöglichen schnelles Schalten. Sie sind in zahlreichen Nennströmen erhältlich. Typische Anwendungen umfassen Server und Stromversorgung für die Telekommunikation, LED-Beleuchtung, Sperrwandler, Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und Schaltnetzteile (SMPS). Merkmale. Niedriger Gütefaktor (FOM), niedriger RDS(ein) x Qg Niedrige Eingangskapazität (Ciss) Niedriger Widerstand (RDS(ein)) Ultraniedrige Gatterladung (Qg) Schnelle Schaltgeschwindigkeit Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 25 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | PowerPAK 8 x 8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 135 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 202 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Breite: | 8.1mm | Höhe: | 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, 1242251, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIHH26N60ET1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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