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| Artikel-Nr.: 3794E-1242386 Herst.-Nr.: PHT6NQ10T,135 EAN/GTIN: 5059043787022 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 3 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = SOT-223 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 90 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4V Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 1,8 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Breite = 3.7mm Höhe = 1.7mm
N-Kanal-MOSFET, 100 V und mehr, Nexperia Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 90 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 1,8 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 3.7mm | Höhe: | 1.7mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet sot-223, smd transistor, mosfet-transistor 3a, 1242386, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, PHT6NQ10T,135, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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