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| Artikel-Nr.:
3794E-1245389 Herst.-Nr.:
NJW0281G EAN/GTIN:
5059042107357 |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 15 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 250 V
Gehäusegröße = TO-3P
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 150 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 250 V dc
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Arbeitsfrequenz max. = 1 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 15.8 x 5 x 20.1mm
Hersteller-Teilenummern mit NSV-Präfix sind gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassen. NPN-Leistungstransistoren, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 15 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 250 V | Gehäusegröße: | TO-3P | Montage-Typ: | THT | Verlustleistung max.: | 150 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 250 V dc | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 1 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 15.8 x 5 x 20.1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungstransistor, onsemi transistor, 1245389, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, NJW0281G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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