Bezeichnung=Leistungstransistor, Typ=NJW0281G, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=1 V, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=150, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=250 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=250 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=1 V, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=15 A, Leistungsverteilung (PV)=150 W, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=-999, Übergangsfrequenz=30 MHz, Bauform=TO-3P, Konfiguration=Einfach, Montageart=Durchsteckmontage, Transistor-Polarität=NPN, Verpackung=Röhre |