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| Artikel-Nr.:
3794E-1454556 Herst.-Nr.:
FDP5800 EAN/GTIN:
5059042049671 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 80 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 7,2 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 242 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 4.5mm
Höhe = 15.7mm
PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, über 60 A, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 80 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 7,2 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 242 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 4.5mm | Höhe: | 15.7mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 80a, 1454556, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDP5800, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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