mosfet 80a günstig kaufen bei Mercateo

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Infineon HEXFET IRFB3607PBF N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 80 A 140 W, 3-Pin TO-220AB (1 Angebot)

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 80 A Drain-Source-Spannung max. = 75 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 9 mΩ Channel-Modus = Enhancemen...

Infineon

IRFB3607PBF

ab CHF 2.90*
pro 5 Stück

Infineon HEXFET IRFU3607PBF N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 80 A 140 W, 3-Pin IPAK (TO-251) (1 Angebot)

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 80 A Drain-Source-Spannung max. = 75 V Gehäusegröße = IPAK (TO-251) Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 9 mΩ Channel-Modus = Enhan...

Infineon

IRFU3607PBF

ab CHF 3.35*
pro 5 Stück

Infineon BSC0901NSI Transistor 30 V (2 Angebote)

Infineon

BSC0901NSIATMA1

ab CHF 0.462*
pro Stück

Infineon SIPMOS SPB80P06PGATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 80 A 340 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot)

Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 80 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 23 mΩ Channel-Modus = Enh...

Infineon

SPB80P06PGATMA1

ab CHF 2.84*
pro Stück

Infineon OptiMOS 3 IPP072N10N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 80 A 150 W, 3-Pin TO-220 (1 Angebot)

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 80 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 7,2 mΩ Channel-Modus = Enhanceme...

Infineon

IPP072N10N3GXKSA1

ab CHF 4.07*
pro 2 Stück

Infineon IPB80N04S4-04 Transistor 40 V (1 Angebot)

Infineon

IPB80N04S404ATMA1

ab CHF 0.90*
pro Stück

Infineon IPP80N03S4L-03 Transistor 30 V (1 Angebot)

Infineon

IPP80N03S4L03AKSA1

ab CHF 1.11*
pro Stück

onsemi PowerTrench FDB035AN06A0 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 80 A 310 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot)

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 80 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 7 mΩ Channel-Modus = Enha...

onsemi

FDB035AN06A0

ab CHF 2.32*
pro Stück

INFINEON IRF8010PBF MOSFET, N-KANAL, 100V, 80A, TO-220 (4 Angebote)

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015 ohm Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id...

Infineon

IRF8010PBF

ab CHF 0.862*
pro Stück

onsemi PowerTrench FDP5800 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 80 A 242 W, 3-Pin TO-220 (1 Angebot)

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 80 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 7,2 mΩ Channel-Modus = Enhancemen...

onsemi

FDP5800

ab CHF 2.89*
pro 2 Stück

Infineon IRFS3607 Transistor 75 V (3 Angebote)

Infineon

IRFS3607TRLPBF

ab CHF 0.56*
pro Stück

STMicroelectronics DeepGate, STripFET STD80N4F6 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 80 A 70 W, 3-Pin DPAK (TO-252) (2 Angebote)

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 80 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 6 mΩ Channel-Modus = Enhan...

ST Microelectronics

STD80N4F6

ab CHF 0.629*
pro Stück

Infineon IPP039N04L G Transistor 60 V (3 Angebote)

Infineon

IPP039N04LGXKSA1

ab CHF 0.542*
pro Stück

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0054 ohm, TO-220, Durchsteckmontage (1 Angebot)

Bauform - Transistor: TO-220 Drain-Source-Spannung Vds: 40 V Verlustleistung: 110 W Qualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 V SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Rds(on)-Prüfspannung: 10 V ...

ST Microelectronics

STP95N4F3

ab CHF 0.854*
pro Stück

Infineon IPP041N04N G Transistor 150 V (2 Angebote)

Infineon

IPP041N04NGXKSA1

ab CHF 0.464*
pro Stück

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