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IXYS HiperFET IXFH80N25X3 N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 80 A 390 W, 3-Pin TO-247


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-1464232
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXFH80N25X3
EAN/GTIN:
     5059041650878
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 80 A
Drain-Source-Spannung max. = 250 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 16 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 390 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = HiperFET

Niedrigster Betriebswiderstand RDS(ON) und Gate-Ladung Qg Diode mit Gehäuse mit kurzer, weicher Erholzeit dv/dt Robustheit Überlegene Durchbruchfähigkeit Gehäuse nach internationaler Norm Akkuladegeräte für leichte Elektrofahrzeuge Synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen Motorsteuerung DC/DC-Konverter Unterbrechungsfreie Stromversorgungen Elektrisch betriebene Gabelstapler Audioverstärker der Klasse D Telekommunikationssysteme Hohe Effizienz Hohe Leistungsdichte Erhöhte Systemzuverlässigkeit Einfache Integration200 MHz/330 DMI/s, MIPS32 microAptiv-Kern Dual Panel Flash für Live-Update-Unterstützung 12 bit, 18 Mbit/s, 45-Kanal-ADC-Modul Speicherverwaltungseinheit für optimale Ausführung des eingebetteten OS microMIPS-Modus für bis zu 35 % Code-Kompression CAN, UART, I2C, PMP, EBI, SQI- & analoge Komparatoren SPI/I2S-Schnittstellen für Audioverarbeitung und -wiedergabe Hi-Speed USB-Gerät/Host/OTG 10/100 Mbit/s Ethernet MAC mit MII- und RMII-Schnittstelle Erweiterter Speicherschutz 2 MB Flash-Speicher (plus zusätzliche 160 KB Boot-Flash ) 640 KB SRAM-Speicher
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
80 A
Drain-Source-Spannung max.:
250 V
Gehäusegröße:
TO-247
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
16 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4.5V
Gate-Schwellenspannung min.:
2.5V
Verlustleistung max.:
390 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
±20 V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Serie:
HiperFET
Weitere Suchbegriffe: ixys mosfet, mosfet, mosfet 80a, 1464232, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFH80N25X3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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