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| Artikel-Nr.:
3794E-1464235 Herst.-Nr.:
IXFT60N65X2HV EAN/GTIN:
5059041724241 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 60 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-268HV
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 52 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3.5V
Verlustleistung max. = 780 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Diodendurchschlagsspannung = 1.4V
Niedriger RDS(ON) und Qg Fast-Body-Diode dv/dt Robustheit Für Stoßentladung ausgelegt Niedrige Gehäuseinduktivität Gehäuse nach internationaler Norm Resonanznetzteile Starter für HID-Lampe (High Intensity Discharge) AC- und DC-Motorantriebe DC/DC-Konverter Robotik und Servosteuerung Akkuladegeräte 3-stufige Solarwechselrichter LED-Beleuchtung Unbemannte Luftfahrzeuge (UAVs) Höhere Effizienz Hohe Leistungsdichte Einfache Montage Platzersparnis Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 60 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | TO-268HV | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 52 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3.5V | Verlustleistung max.: | 780 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±30 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Diodendurchschlagsspannung: | 1.4V |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, ixys mosfet, smd transistor, 1464235, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFT60N65X2HV, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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