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| Artikel-Nr.:
3794E-1464406 Herst.-Nr.:
IXFH80N25X3 EAN/GTIN:
5059041724227 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 80 A
Drain-Source-Spannung max. = 250 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 16 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 390 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Diodendurchschlagsspannung = 1.4V Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 80 A | Drain-Source-Spannung max.: | 250 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 16 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 390 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Diodendurchschlagsspannung: | 1.4V |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 80a, 1464406, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFH80N25X3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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