|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-1512595 Herst.-Nr.:
PUMH1,115 EAN/GTIN:
5059043069272 |
| |
|
| | |
| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 100 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V
Gehäusegröße = SOT
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 300 mW
Transistor-Konfiguration = Dual
Pinanzahl = 6
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Widerstandsbestückte Transistoren (RETs), platzsparende und kostensparende Lösungen, die die Anzahl der Komponenten reduzieren und den Stromkreisentwurf vereinfachen.Transistoren mit NPN/NPN-Widerstand, R1 = 22 kΩ, R2 = 22 kΩ, NPN/NPN-Doppelwiderstands-Transistoren (RET) in SMD-Kunststoffgehäusen.Ausgangsstrom: 100 mAIntegrierte VorwiderständeVereinfachter StromkreisaufbauReduziert die Anzahl der Komponenten Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 100 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 50 V | Gehäusegröße: | SOT | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 300 mW | Transistor-Konfiguration: | Dual | Pinanzahl: | 6 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd-transistor npn, smd transistor, 1512595, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Nexperia, PUMH1,115, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
| | |
| |