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| Artikel-Nr.:
3794E-1512601 Herst.-Nr.:
PUMD12,115 EAN/GTIN:
5059043685588 |
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| Transistor-Typ = NPN/PNP
DC Kollektorstrom max. = 100 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V
Gehäusegröße = SOT-363
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 300 mW
Transistor-Konfiguration = Dual
Pinanzahl = 6
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Widerstandsbestückte Transistoren (RETs), platzsparende und kostensparende Lösungen, die die Anzahl der Komponenten reduzieren und den Stromkreisentwurf vereinfachen.Transistoren mit NPN/PNP-Widerstand, R1 = 47 kΩ, R2 = 47 kΩ, NPN/PNP-Doppelwiderstands-Transistoren (RET) in SMD-Kunststoffgehäusen.Ausgangsstrom: 101 mAIntegrierte VorwiderständeVereinfachter StromkreisaufbauReduziert die Anzahl der Komponenten Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN/PNP | DC Kollektorstrom max.: | 100 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 50 V | Gehäusegröße: | SOT-363 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 300 mW | Transistor-Konfiguration: | Dual | Pinanzahl: | 6 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd-transistor npn, smd transistor, 1512601, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Nexperia, PUMD12,115, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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