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| Artikel-Nr.:
3794E-1512827 Herst.-Nr.:
PMBT2907A,215 EAN/GTIN:
5059043680446 |
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| Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = -600 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = –60 V
Gehäusegröße = SOT-23 (TO-236AB)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 250 mW
Gleichstromverstärkung min. = 75
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = –60 V
Basis-Emitter Spannung max. = –5 V
Arbeitsfrequenz max. = 200 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 3 x 1.4 x 1mm
Bis zu 60 V VCEO und bis zu 800 mA IC. Unsere NPN- und PNP-Schalttransistoren bieten kürzere Speicherzeiten und deutlich verkürzte Schaltzeiten und verschaffen Ihnen damit einen Konstruktionsvorteil. Sie können aus einem umfangreichen Portfolio wählen, das Geräte in mehreren Gehäuseoptionen, einschließlich kleiner und extrem kleiner Baugrößen, umfasst. Hervorragend geeignet für Logik-Pegelwandler sowie für allgemeine Schaltvorgänge.Kurze SpeicherzeitKleine und besonders kleine GehäuseVCEO bis zu 40 V für NPN-Transistoren (– 60 V für PNP-Typen)IC-Bereich bis 800 mAPNP-Schalttransistor (60 V, 600 mA), PNP-Schalttransistor in einem kleinen SOT23 (TO-236AB)-(SMD)-Kunststoffgehäuse. NPN-Ergänzung PMBT2222A, PMBT2907 (40-V-Variante)Einfacher universeller SchalttransistorAEC-Q101-qualifiziert Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | -600 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | –60 V | Gehäusegröße: | SOT-23 (TO-236AB) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 250 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 75 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | –60 V | Basis-Emitter Spannung max.: | –5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 200 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 3 x 1.4 x 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, transistor sot-23, 1512827, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Nexperia, PMBT2907A,215, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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