Nexperia BSR16,215 SMD, PNP Transistor –60 V / -600 mA 200 MHz, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin

Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = -600 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = –60 V
Gehäusegröße = SOT-23 (TO-236AB)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 250 mW
Gleichstromverstärkung min. = 75
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = –60 V
Basis-Emitter Spannung max. = –5 V
Arbeitsfrequenz max. = 200 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C

Schalttransistoren einfach/doppelt. Bis zu 60 V VCEO und bis zu 800 mA IC. Mit kürzeren Speicherzeiten und deutlich geringeren Schaltzeiten bieten unsere NPN-und PNP-Schalttransistoren Ihnen einen klaren Designvorteil. Wählen Sie aus einem beachtlichen Portfolio mit Bauelementen in verschiedenen Gehäusegrößen einschließlich klein und extrem klein. Ausgezeichnet für Logikpegelwandlern sowie für allgemeines Schalten.Kurze Speicherzeit Kleine und sehr kleine Gehäuse VCEO bis 40 V für NPN-Transistoren (–60 V für PNP-Ausführungen) IC-Bereich bis zu 800 mA Allgemeines Schalten LogikpegelwandlerPNP-Schalttransistor mit 60 V, 600 mA, PNP-Schalttransistor in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) SMD-Kunststoffgehäuse. NPN-Gegenstück: BSR14Einfacher Universal-Schalttransistor AEC-Q101-qualifiziert Schalten und lineare Verstärkung