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| Artikel-Nr.: 3794E-1530709 Herst.-Nr.: PMV230ENEAR EAN/GTIN: 5059043686530 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 1,5 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 222 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2.7V Gate-Schwellenspannung min. = 1.3V Verlustleistung max. = 1,45 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = 20 V Gate-Ladung typ. @ Vgs = 3,9 nC @ 10 V Betriebstemperatur min. = –55 °C Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 1,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 222 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.7V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.3V | Verlustleistung max.: | 1,45 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | 20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 3,9 nC @ 10 V | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet sot-23, smd transistor, 1530709, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, PMV230ENEAR, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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