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| Artikel-Nr.:
3794E-1532821 Herst.-Nr.:
PEMD13,115 EAN/GTIN:
5059043639086 |
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| Transistor-Typ = NPN/PNP
DC Kollektorstrom max. = 100 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V
Gehäusegröße = SOT-666
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 200 mW
Transistor-Konfiguration = Dual
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Pinanzahl = 6
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Eingangswiderstand typ. = 4,7 kΩ
Widerstandbestückte NPN/PNP-Transistoren, R1 = 4,7 kΩ, R2 = 47 kΩ, doppelte widerstandbestückte NPN/PNP-Transistoren (RET) in SMD-Kunststoffgehäusen.Ausgangsstrom: 100 mA Integrierte Vorwiderstände Vereinfacht den Schaltungsaufbau Verringert die Anzahl an Bauelementen Verringert die Bestückungskosten AEC-Q101-qualifiziert Peripherie-Treiber mit niedriger Stromaufnahme Steuerung von IC-Eingängen Ersetzt Universaltransistoren in digitalen Anwendungen Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN/PNP | DC Kollektorstrom max.: | 100 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 50 V | Gehäusegröße: | SOT-666 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 200 mW | Transistor-Konfiguration: | Dual | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Pinanzahl: | 6 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Eingangswiderstand typ.: | 4,7 kΩ |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd-transistor npn, smd transistor, 1532821, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Nexperia, PEMD13,115, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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