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| Artikel-Nr.:
3794E-1629192 Herst.-Nr.:
NSS40302PDR2G EAN/GTIN:
5059042459364 |
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| Transistor-Typ = NPN/PNP
DC Kollektorstrom max. = 3 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 40 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 783 mW
Gleichstromverstärkung min. = 200
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Kollektor-Basis-Spannung max. = 40 V
Basis-Emitter Spannung max. = –7 V, 6 V
Arbeitsfrequenz max. = 100 MHz
Pinanzahl = 8
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Zweifach-NPN/PNP-Transistoren, ON Semiconductor. Zwei Transistorgehäuse mit jeweils einer NPN- und PNP-Einheit Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN/PNP | DC Kollektorstrom max.: | 3 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 40 V | Gehäusegröße: | SOIC | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 783 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 200 | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 40 V | Basis-Emitter Spannung max.: | –7 V, 6 V | Arbeitsfrequenz max.: | 100 MHz | Pinanzahl: | 8 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: smd-transistor npn, smd transistor, onsemi transistor, 1629192, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, NSS40302PDR2G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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