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| Artikel-Nr.:
3794E-1630786 Herst.-Nr.:
NJVNJD2873T4G EAN/GTIN:
5059042454819 |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 2 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 15 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 50 V dc
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Arbeitsfrequenz max. = 0,1 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 6.73 x 6.22 x 2.38mm
Hersteller-Teilenummern mit NSV-Präfix sind gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassen. NPN-Leistungstransistoren, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 2 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 50 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 15 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 50 V dc | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 0,1 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 6.73 x 6.22 x 2.38mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, onsemi transistor, 1630786, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, NJVNJD2873T4G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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