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| Artikel-Nr.:
3794E-1630967 Herst.-Nr.:
MMBT5089LT1G EAN/GTIN:
5059042744293 |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 50 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 30 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 225 mW
Gleichstromverstärkung min. = 400
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 25 V dc
Basis-Emitter Spannung max. = 4,5 V
Arbeitsfrequenz max. = 20 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 3.04 x 2.64 x 1.11mm
Rauscharme bipolare Transistoren, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 50 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 30 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 225 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 400 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 25 V dc | Basis-Emitter Spannung max.: | 4,5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 20 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 3.04 x 2.64 x 1.11mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, onsemi transistor, 1630967, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MMBT5089LT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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