| |
|
| Artikel-Nr.: 3794E-1632020 Herst.-Nr.: 2SK3557-6-TB-E EAN/GTIN: 5059042449822 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N IDS Drain-Source-Abschaltstrom = 10 to 20mA Drain-Source-Spannung max. = 15 V Drain-Gate-Spannung max. = -15V Transistor-Konfiguration = Einfach Montage-Typ = SMD Gehäusegröße = CP Pinanzahl = 3 Drain Gate Kapazität = 10pF Source Gate Kapazität = 2.9pF Abmessungen = 2.9 x 1.5 x 1.1mm Höhe = 1.1mm
N-Kanal-JFET, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | IDS Drain-Source-Abschaltstrom: | 10 to 20mA | Drain-Source-Spannung max.: | 15 V | Drain-Gate-Spannung max.: | -15V | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | CP | Pinanzahl: | 3 | Drain Gate Kapazität: | 10pF | Source Gate Kapazität: | 2.9pF | Abmessungen: | 2.9 x 1.5 x 1.1mm | Höhe: | 1.1mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, onsemi transistor, smd transistor, 1632020, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, JFET, onsemi, 2SK35576TBE, Semiconductors, Discrete Semiconductors, JFETs |
| | |
| |