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| Artikel-Nr.:
3794E-1652723 Herst.-Nr.:
SIR462DP-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040654921 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 19 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = PowerPAK SO-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 8 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 4,8 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Si
Höhe = 1.04mm
N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 19 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | PowerPAK SO-8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 8 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 4,8 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Höhe: | 1.04mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, 1652723, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIR462DPT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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