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| Artikel-Nr.:
3794E-1657676 Herst.-Nr.:
SPA11N60C3XKSA1 EAN/GTIN:
5059043449852 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 11 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-220 FP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 380 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.9V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.1V
Verlustleistung max. = 33 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 4.85mm
Höhe = 9.83mm
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C3 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 11 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | TO-220 FP | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 380 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.9V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.1V | Verlustleistung max.: | 33 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 4.85mm | Höhe: | 9.83mm |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet 11a, 1657676, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, SPA11N60C3XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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