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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8737-1471770

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
SPA11N60C3XKSA1

EAN/GTIN:
k.A.

Artikeldatenblatt

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34 ohm

Produktpalette: -

MSL: -

Anzahl der Pins: 3 Pin(s)

Transistormontage: Durchsteckmontage

Kanaltyp: n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 11 A

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: TO-220F

Drain-Source-Spannung Vds: 650 V

Verlustleistung: 33 W

Qualifikation: -

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V

SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

RoHS konform: Ja

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Einfache MOSFET

Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet 11a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, SPA11N60C3XKSA1, 1471770, 147-1770

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