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| Artikel-Nr.: 3794E-1658337 Herst.-Nr.: DMN6075S-7 EAN/GTIN: 5059043987057 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 2,5 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 120 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 3V Gate-Schwellenspannung min. = 1V Verlustleistung max. = 1,15 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Breite = 1.4mm Höhe = 1mm
N-Kanal-MOSFET, 40 V bis 90 V, Diodes Inc Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 2,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 120 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 1,15 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 1.4mm | Höhe: | 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, mosfet sot-23, 1658337, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMN6075S7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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