|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-1660395 Herst.-Nr.:
PBSS2515YPN,115 EAN/GTIN:
5059043307763 |
| |
|
| | |
| Transistor-Typ = NPN/PNP
DC Kollektorstrom max. = 500 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 15 V
Gehäusegröße = UMT
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 200 mW
Gleichstromverstärkung min. = 200
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Kollektor-Basis-Spannung max. = 15 V
Basis-Emitter Spannung max. = 6 V
Arbeitsfrequenz max. = 420 MHz
Pinanzahl = 6
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Zweifach-NPN/PNP-Transistoren mit niedriger Sättigungsspannung, Nexperia. Eine Serie von Zweifach-NPN/PNP-Transistoren in BISS-Ausführung (Breakthrough In Small Signal) von NXP mit bipolarem Übergang. Diese Bauelemente bieten sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannungen und hohe Strombelastbarkeit am Kollektor in kompakten, platzsparenden Gehäusen. Die reduzierten Verluste dieser Transistoren führen zu einer verringerten Wärmeentwicklung und einer Steigerung der Gesamteffizienz bei Verwendung in Schalt- und Digitalanwendungen. Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN/PNP | DC Kollektorstrom max.: | 500 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 15 V | Gehäusegröße: | UMT | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 200 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 200 | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 15 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 6 V | Arbeitsfrequenz max.: | 420 MHz | Pinanzahl: | 6 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: smd-transistor npn, smd transistor, 1660395, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Nexperia, PBSS2515YPN,115, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
| | |
| |