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| Artikel-Nr.: 3794E-1661704 Herst.-Nr.: FDD86250 EAN/GTIN: 5059042522525 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 45 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 132 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Höhe = 2.39mm
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 8 A | Drain-Source-Spannung max.: | 150 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 45 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 132 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Höhe: | 2.39mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, mosfet dpak, 1661704, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDD86250, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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