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| Artikel-Nr.:
3794E-1661765 Herst.-Nr.:
FDMS86300DC EAN/GTIN:
5059042258806 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 76 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = PQFN8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 125 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 5.85mm
Höhe = 1.05mm
PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, über 60 A, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 76 A | Drain-Source-Spannung max.: | 80 V | Gehäusegröße: | PQFN8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 5 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 125 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 5.85mm | Höhe: | 1.05mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, on semiconductor mosfet, smd transistor, pqfn mosfet, 1661765, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDMS86300DC, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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