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| Artikel-Nr.:
3794E-1661815 Herst.-Nr.:
MMBF170 EAN/GTIN:
5059042265316 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 500 mA
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.8V
Verlustleistung max. = 300 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 1.3mm
Höhe = 0.93mm
N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor. Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 500 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 5 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.8V | Verlustleistung max.: | 300 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 1.3mm | Höhe: | 0.93mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, on semiconductor mosfet, smd transistor, mosfet sot-23, 1661815, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, MMBF170, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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