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| Artikel-Nr.:
3794E-1662305 Herst.-Nr.:
FDT1600N10ALZ EAN/GTIN:
5059042236347 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 5,6 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 375 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1.4V
Verlustleistung max. = 10,42 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 2,9 nC @ 10 V
Höhe = 1.7mm
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 5,6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 375 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.4V | Verlustleistung max.: | 10,42 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 2,9 nC @ 10 V | Höhe: | 1.7mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1662305, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDT1600N10ALZ, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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