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| Artikel-Nr.:
3794E-1684358 Herst.-Nr.:
CSD17381F4T EAN/GTIN:
5059042328318 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 3,1 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = PICOSTAR
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 250 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.1V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.65V
Verlustleistung max. = 500 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Breite = 0.64mm
Höhe = 0.35mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET FemtoFET™, Texas Instruments Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 3,1 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | PICOSTAR | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 250 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.1V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.65V | Verlustleistung max.: | 500 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Breite: | 0.64mm | Höhe: | 0.35mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor, 1684358, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Texas Instruments, CSD17381F4T, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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